《表3 N2-MIP与Ar-ICP的物理参数》

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《等离子体光谱光源技术的研究进展》

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注:*MASKI OHATA的数据，**文献数据

用于高功率微波等离子体光源的微波腔体是Okamoto微波腔，它所组成的微波等离子体光源如图5[21]所示，它是由微波电源、波导管、Okmako微波腔、双气流石英炬管及供气系统构成[19]，微波源频率是2.45GHz，正向功率多为1～1.3kW，等离子体气用13L/min高纯氮气，载气1.0L/min。所形成的等离子体与ICP光源类似，是环形等离子体，中心通道进样。测定了17种元素的38条不同的原子线和离子线，低激发电位的原子线有较好的检出限。在微波功率1 000 W时[20]，用Boltzmann图测定激发温度，Texc=5 500K，气体温度为5 000K，电子密度ne=3×1013cm-3。用该系统也可用空气作工作气体，并对比了空气-MIP及N2-MIP的分析性能，显然空气-MIP有助于消除有机试样分析时氰带光谱的影响。MASKI OHATA[21]测定了在微波功率1.3kW时N2-MIP光源的温度空间分布并与Ar-ICP光源的物理参数进行比较，数据列于表3，钙离子线与原子线强度比的较大差异表达了对谱线激发能力的差异，Ar-ICP的激发能力高于N2-MIP。MASKI OHATA的结论认为高功率氮气MIP的激发温度比氩ICP光源低1 500K。从光源中各种粒子的温度来看，氮气-MIP光源是一种接近热力学平衡的等离子体，而Ar-ICP光源基本是非热力学平衡等离子体，N2-MIP的分解试样和原子化的能力并不比Ar-ICP低，甚至可能还稍高些，但N2-MIP激发能力要逊于Ar-ICP。