《表2 N2的压力对Si3N4分解温度的影响Tab.2 Effect of N2 pressure on Si3N4 decomposition temperature》

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《碳化硅添加对氮化硅转化为碳化硅晶粒形貌的影响》

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根据式（4）和式（5）计算出的结果如表2所示，可以看出，氮气的压力越小，Si3N4开始分解的温度就越低。而本研究，一直处于氩气氛的状态下，所以Si3N4在1 500℃左右即可开始分解，当气态的硅原子与石墨表面被高温活化的活性碳原子相遇时，硅蒸汽在石墨原子表面冷凝成的硅液滴，与接触到的石墨在液态环境中发生反应生成SiC，形成了SiC的过饱和溶液，从而产生SiC晶核，在此低温下，生成的SiC主要为β相。而SiC晶须的成核和生长主要受动力学控制，在较低的温度下参与成核的气体过饱和度低，SiC晶核主要沿形成能量最小的<111>方向生长成柱状[25]。当温度逐渐升高，由于小颗粒表面曲率半径小，饱和蒸气压大，故小颗粒上的蒸气向饱和蒸气压较小的大颗粒表面处迁移并达到饱和而沉积在大颗粒表面上。因此，纯Si3N4转化为β-SiC时，其晶粒几乎是长柱状，同时还存在一些小颗粒状，如图2（a）所示。