《表1 三种情况比较结果:返驰式电路在开关电源EMI抑制中的应用》
MOSFET电压的FFT频谱详细测试数据,如表1所示。可以看到,没有返驰式电路RCD和RC的作用,即便在轻载状态下,各个频率的电压突刺都比较突出。返驰式电路将这些造成突刺的能量的形成过程尽可能放缓,可以从源头减少能量,在现有不增加成本的情况下,将EMI噪声或者能量抑制在一个较低范围。
图表编号 | XD0043007700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.25 |
作者 | 聂琼 |
绘制单位 | 苏州农业职业技术学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |