《表1 生长α-Fe2O3实验条件的调整范围以及最佳参数》

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《三氧化二铁六角晶体的制备及其气敏性应用》

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将经过前处理的硅片放置于1 000℃退火后的刚玉舟上，将适量的FeCl3粉末置于硅片的前端（靠近气流的一端），将刚玉舟放入双开口的小石英套管中央，平稳推入生长的石英管中，推入管式炉（如图1 （a）所示） ；设置升温程序和生长参数，开始生长，主要过程包括升温过程、生长过程和降温过程（如图1 （b）和表1所示） ；生长完成后，待温度降至室温后，取出样品，关闭所有设备。