《表3 各衰减电阻结构参数优化值》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《一种基于高阻硅衬底的高精度RF MEMS衰减器设计》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

衰减电阻的结构示意图如图5所示.设定Ip为Rp的长度值，Wp为Rp的宽度值；Is为Rs的长度值，Ws为Rs的宽度值.由于共面波导（CPW）的尺寸已经确定，所以，通过仿真设计，得到各衰减电阻尺寸如表3所示.