《表2 LD模型与嵌入式测试验证方案》

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《半导体激光器退化表征与嵌入式测试》

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LD工作的偏置电流由单片机设定为额定工作电流100mA，实际测试得到的偏置电流为101mA，调制电流为39 mA。当信号为“1”信号时，测得光功率P1为143.5mW，当信号为“0”信号时，测得光功率P0为233.1mW。根据嵌入式测试方法中退化表征参数的计算式，得到阈值电流为36.5 mA，斜率效率为2.10 W/A。嵌入式测试方法得到的实验结果和离线测试的结果相符，验证了该嵌入式测试方法的可行性。