《表1 CS系列样品的比表面积、XPS、Raman、CA和降解时间数据》

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《生物质基碳材料的制备及其在电芬顿降解体系中的应用》

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碳材料的石墨化程度以及晶体结构是影响材料导电性能的关键因素，为了探究CS系列材料微观结构对导电性能的影响，对其进行了XRD和Raman测试。如图3（a）表示XRD测试结果，所有的样品在25.3和44.2°处均出现了两个衍射峰，分别对应于石墨烯的（002）和（101）晶面[29-30]，这一结果说明该系列材料均具有部分石墨化结构，这与HR-TEM的结果相吻合。结合CS系列材料的Raman谱图（图3 （b）） ，可以清楚地观察到位于1 364和1 586cm-1处的特征峰，分别对应无定型碳的D带和sp2杂化的石墨化碳的G带。通过对Raman谱图进行拟合，得到了不同材料的ID/IG值（表1），ID/IG的值越小，代表材料的石墨化程度越高[31]。从表1可以看出，CS-3的ID/IG的值最小，证明CS-3的石墨化程度最高，有利于增加材料的导电性和电子转移，促进氧化原过程。