《表1 样品的比表面积、孔容和孔径》

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《一步水热合成In_2S_3/CdIn_2S_4异质结微球及其光催化性能》

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通过对所有样品进行N2-低温物理吸附表征，可以得到所有样品的比表面积和孔径分布，如图5和表1所示，通过图5（a）中的吸脱附曲线可以看出，其归属于Ⅳ型，意味着介孔(2～50 nm）的存在[26]。与In2S3（23.78 m2/g）和CdIn2S4（7.47 m2/g）样品的比表面积相比，In2S3/CdIn2S4（7.09 m2/g）异质结的比表面积有所下降。这表明比表面积的下降不是决定光催化活性的唯一性因素，而是由材料的电子结构和接触点的性质决定。如图5(b）和（c）所示，样品In2S3和CdIn2S4的孔径分布不均匀，分别在15～50 nm和20～55 nm。与单纯样品In2S3和CdIn2S4相比，In2S3/CdIn2S4异质结的孔径分布更加均匀[图5(d）]，集中在30 nm左右。