《表1 各元素含量:表面处理降低GaAs界面态密度的研究》
从全谱中得出各元素在不同轨道的分布,可分为3d低能轨道与2p高能轨道,其中3d低能轨道主要分析元素价态组分,2p高能轨道分析结合能位置偏移,各元素在不同处理条件下原子百分比如表1所示。
图表编号 | XD0030655400 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 肖和平、王瑞瑞 |
绘制单位 | 扬州乾照光电有限公司、扬州乾照光电有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
从全谱中得出各元素在不同轨道的分布,可分为3d低能轨道与2p高能轨道,其中3d低能轨道主要分析元素价态组分,2p高能轨道分析结合能位置偏移,各元素在不同处理条件下原子百分比如表1所示。
图表编号 | XD0030655400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 肖和平、王瑞瑞 |
绘制单位 | 扬州乾照光电有限公司、扬州乾照光电有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |