《表1 对PI基底的热处理条件Tab.1 Heat treatment conditions for PI substrates》

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《以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究》

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镀金前，使用电热鼓风干燥箱对PI基底进行热处理，热处理条件如表1所示。随后使用真空溅射镀膜仪（Quorum Q150TS），以磁控溅射镀膜的方法在基底表面制备每层平均厚度为6.4 nm的金薄膜。利用石英晶体微天平监测金薄膜的最大厚度!max，当其超过设定值时，镀膜仪自动停止镀金。为了证明镀金厚度的准确性，在硅基底上制备10nm金薄膜，并使用原子力显微镜（AFM）测量其厚度，测量结果如图2所示。结果证明此方法制备的金薄膜厚度的误差在10%以内[10]。