《表1 C2M0080120D基本参数Tab.1 Basic parameters of C2M0080120D》
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《一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计》
本文以CREE公司第2代1.2kV SiC MOSFET半导体器件C2M0080120D为例，对改进驱动电路参数设计原则进行研究，其基本参数[23]见表1。
| 图表编号 | XD0029927600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.01.25 |
| 作者 | 李辉、黄樟坚、廖兴林、钟懿、王坤 |
| 绘制单位 | 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) |
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