《表1 多光谱TDI CCD主要性能参数》

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《横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器》

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表1列出了横向抗弥散多光谱TDI CCD的主要要性性能能参参数数。。由由表表11得得知知，，器器件抗弥散能力为100倍，饱和输出幅度为2 650 mV，满阱电子数为500ke-，噪声为70e-，暗电流为0.7nA/cm2，动态范围为7 143∶1。图7为多光谱TDI CCD的典型量子效率曲线。通过优化多晶硅电极制作工艺，减小了多晶硅厚度，进而降低了多晶硅电极对入射光的损耗，使得多光谱TDI CCD的峰值量子效率达到45%。图8展示了滤光膜透过率曲线，带内平均光学透过率不小于90%，带外平均光学透过率不大于2%。图9为多光谱TDI CCD的红光、绿光、蓝光和近红外（B1～B4区）融合图像。器件多个输出端输出信号的一致性好，不同输出端信号没有明显差异。