《表2 质子辐照前后CCD光谱响应的变化率Tab.2 Change rate of CCD spectral response before and after proton irradiation》

《表2 质子辐照前后CCD光谱响应的变化率Tab.2 Change rate of CCD spectral response before and after proton irradiation》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制》


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质子辐照导致的CCD光谱响应受辐照时的偏置影响不明显,但对能量的依赖非常明显。比较图6和图7,可以看出,对于波长为460 nm的蓝光,3 Me V质子入射导致的响应变化明显大于10 Me V质子,即3 Me V质子辐射产生了更多的有效缺陷。为了更直接地比较不同能量质子辐射导致CCD光谱响应的变化,表2中列出了试验中室温放置约150 h、100℃高温退火67 h和150℃高温退火25 h等几个节点时,CCD光谱响应在460nm的蓝光和波长为700 nm的红光处的变化,可以看出10 Me V质子导致的CCD对不同波长光的光谱响应差异(“蓝光/红光”的比值)远大于3Me V质子。