《表2 质子辐照前后CCD光谱响应的变化率Tab.2 Change rate of CCD spectral response before and after proton irradiation》
质子辐照导致的CCD光谱响应受辐照时的偏置影响不明显,但对能量的依赖非常明显。比较图6和图7,可以看出,对于波长为460 nm的蓝光,3 Me V质子入射导致的响应变化明显大于10 Me V质子,即3 Me V质子辐射产生了更多的有效缺陷。为了更直接地比较不同能量质子辐射导致CCD光谱响应的变化,表2中列出了试验中室温放置约150 h、100℃高温退火67 h和150℃高温退火25 h等几个节点时,CCD光谱响应在460nm的蓝光和波长为700 nm的红光处的变化,可以看出10 Me V质子导致的CCD对不同波长光的光谱响应差异(“蓝光/红光”的比值)远大于3Me V质子。
图表编号 | XD0017622700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.02.01 |
作者 | 文林、李豫东、郭旗、汪朝敏 |
绘制单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室、中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室、中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室、重庆光电技术研究所 |
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