《表3 各线圈组在η分别达到85%、95%和99%时的最小整数安匝比及实际面积Table 3 Minimum integer ampere-turn ratio and actual area for
假设线圈安匝比近似取整为m0/m1/…/mmax-1/mmax,其中m0为中心线圈安匝数,mmax为最外侧线圈安匝数。当线圈个数N为奇数时,max=(N-1)/2;当N为偶数时,max=N/2-1。程序开始时,m0从1开始逐步增大,\n\t\t\t\t\n其中,e为预期的相对偏差(如0.01),\n表示取比(1-e)·nim0小的最大整数,「(1+e)nim0?表示取比(1+e)nim0大的最小整数。mi取值从最小值开始,逐步增大。由此可以得到一组安匝数,编程计算此组安匝数对应的线圈产生的磁场均匀度ε≤ε0区域(ε0为预期磁场均匀度,如0.01%)的面积S与理想安匝比下的面积S0之比η=S/S0,用η来评价取整结果与理想结果之间的接近程度。若η<η0(η0为预期接近程度,如95%),则计算下一组安匝数。下一组安匝数为最外层安匝数加1;当最外层安匝数达到最大值时,次外层安匝数加1,最外层安匝数降为最小值;当最外层和次外层安匝数都达到最大值时,次次外层安匝数加1,最外层和次外层安匝数都降为最小值;如此循环。若η≥η0,则停止计算,此时的这组安匝数即为达到理想面积η0倍的最小整数安匝比。程序流程如图5所示。取e=0.01,分别求η0=85%、95%、99%时的线圈最小整数安匝比,结果如表3所示。
图表编号 | XD002656600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.03.01 |
作者 | 胡朝晖、穆维维、吴文峰、周斌权 |
绘制单位 | 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院、北京航空航天大学惯性技术重点实验室、北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院、北京航空航天大学惯性技术重点实验室、北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院、北京航空航天大学惯性技术重点实验室、北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院、北京航空航天大学惯性技术重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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