《表1 不同屏蔽方法屏蔽效果对比》
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图1中，取置于支架的PMT光阴极顶点为测量点，在不同的屏蔽情况下测试其剩余磁场强度如表1所示。
| 图表编号 | XD0025396600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.02.10 |
| 作者 | 马毅超、朱纳、钱森、高峰、胡健润、张国庆、宁飞鹏、党宏社 |
| 绘制单位 | 陕西科技大学、陕西科技大学、中国科学院高能物理研究所、核探测与核电子学国家重点实验室、核探测与核电子学国家重点实验室、中国科学院大学、核探测与核电子学国家重点实验室、中国科学院大学、核探测与核电子学国家重点实验室、核探测与核电子学国家重点实验室、陕西科技大学 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
