《表2 CdO在光催化中的应用》

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《含镉化合物在光催化领域应用的研究进展》

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（1）为质量分数。

CdO是一种n型半导体，其直接带隙为2.20～2.50eV，间接带隙为1.36～1.98eV[13-14]。它是一种具有更高稳定性的、廉价的、在自然界广泛存在的可见光驱动型催化剂，而且CdO中存在的氧空位和间隙镉原子表现出光催化所需的低电阻率和良好的光学性能，这有利于弥补量子效率低等问题。这些优异的性质导致不同形态的氧化镉以及形成的复合催化剂具有较好的光催化活性，见表2。