《表1 不同条件下伴随γ辐射在全背底中贡献比例和散射信号的信噪比》

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《中子小角散射实验中放射性样品伴随γ抑制》

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分别在2 050 V和2 200 V的阳极工作电压下测量了IEMP、Iγ和ISAM的平均计数率，测量结果见表1。由表1数据可知:随着阳极工作电压的降低，伴随γ辐射信号在全背底中的贡献比例降低，在阳极工作电压为2 050 V时，伴随γ辐射信号对全背底的贡献很小；随着阳极工作电压的降低，信噪比提高，特别是辐照Zr合金样品信噪比明显提升。但辐照样品Al B和Zr合金平均中子计数率在2 050 V工作电压下都明显降低，表明较低的阳极工作电压可以有效地抑制伴随γ辐射影响，同时也降低中子散射信号平均计数率。可采用增加测量时间的方法获得所需中子散射信号计数强度。