《表1 实验系统参数Tab.1 Parameters of the series connected with two IGBTs》

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《门极变电阻式IGBT串联均压电路》


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以2个IGBT串联均压为例进行仿真分析,电路结构如图6所示.直流侧电压为800V,IGBT驱动采用光耦隔离驱动.若保证电压偏差η在5%以内,则根据式(3)和式(9)可以计算出各个电阻参数.表1为仿真分析中的系统参数.