《表2 低噪声CMOS噪声探测器专利中平均每年被引用次数最多的前10篇专利》
成由于我国对CMOS噪声探测器噪声技术的研究落后于美国,因此,我国在对CMOS噪声探测器噪声研究的过程中要充分借鉴美国的科研成果,做出具有创新型,符合生产需要的CMOS噪声探测器噪声专利申请文件。因此笔者选择了在美国已经授权的有关CMOS噪声探测器噪声研究的专利,对这些专利进行研究,分析出这些专利之间的相关性,但是仅仅根据某一段时间的专利提取信息会存在一定的误差,因此,笔者在对专利重要性进行客观评价时,将被引用专利的次数和已公告年份的比值作为降低专利选取时间上的误差标准。笔者将在美国已授权的专利引用次数和公开年份比值通过表格的形式表现,如表2所示。
图表编号 | XD0024344800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.25 |
作者 | 梁峙、梁骁、马捷、刘喜坤、孙晓虎、张双圣 |
绘制单位 | 徐州工程学院环境工程学院、上海财经大学经济学院、中国矿业大学、徐州市水利局、徐州市水利局、徐州市水利局 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |