《表1 HD+SPS制备的多孔镁表观密度、相对密度及孔隙率》
(*DR:氢化处理;SPS1:预制成型,成型条件350℃,50 kN;DR:脱氢处理;SPS2:放电等离子烧结,烧结条件550℃,不加压)
表1为HD+SPS工艺制备的多孔镁的表观密度、相对密度和孔隙率。其中试样1′,1″及1为同一个试样(Mg H2含量100%)在制备过程中的孔结构参数变化情况;通过改变工艺流程得到Mg H2含量为0%的试样2并与试样1进行比较。图2是预制体成型、脱氢和烧结块体宏观形貌及其XRD图。从表1看出:该工艺可以制备出多孔镁块体,且550℃下其孔隙率在7.5%~17.8%。原始镁粉经完全氢化后预制成型,计算其相对密度为0.683,对预制块脱氢后,预制体宏观形貌如图2(a)所示,预制块脱氢过程体积基本不变,根据XRD,预制块脱氢后只有镁峰存在而没有氢化镁对应衍射峰,即氢化镁全部转变为纯镁,脱氢完全(图2(b)),其相对密度减小到0.517,故在脱氢过程中有孔隙产生。再经过SPS烧结后,试样相对密度增加,转变为0.822,这是因为烧结使粉末颗粒之间由机械啮合转化为冶金结合,且随着烧结温度的不断升高,烧结产生的烧结颈不断增加,材料的致密度随之增加,烧结带来的生成孔洞数目随之减少,孔隙率降低。
图表编号 | XD00229865400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.09.18 |
作者 | 田笑颖、樊建锋、张华、张强、吴玉程、李卫国、董洪标、许并社 |
绘制单位 | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学先进镁基材料山西省重点实验室、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学先进镁基材料山西省重点实验室、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学先进镁基材料山西省重点实验室、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室、莱斯特大学工程系、太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室 |
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