《表1 本设计参数与相关文献参数具体值比较》
Corner结合3~6 V范围电源仿真,过温阈值TH如图7所示,恢复阈值TL如图8所示,可以看出:TH门限为153.8~163.6℃,TL门限为147.1~155.9℃,可见,设计的过温保护电路,能够很好地抑制电源电压和工艺角影响,具有很高的精度,从而保证芯片的稳定性和可靠性。将本设计电路仿真参数与相关文献的电路参数进行具体值比较,结果如表1所示,随着电源电压升高,本设计的阈值和迟滞变化幅度更小,有很高的精度。
图表编号 | XD00226949600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.11.15 |
作者 | 李晓、张文杰、金湘亮 |
绘制单位 | 江苏科技大学电子信息学院、江苏芯力特电子科技有限公司、江苏科技大学电子信息学院、江苏芯力特电子科技有限公司、湖南师范大学物理与电子科技学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |