《表2 Va-Va近邻的O (oct)在hcp-Zr54超胞中的计算结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《金属Zr中O原子扩散的第一性原理研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

如图2所示，通过去掉超胞中的一个Zr原子，构建一个原子Va，并在其周围标出近邻的oct位置。利用该模型，通过式（1）可以计算原子Va与其第一到三近邻间隙（the first to the third near neighbor，1 to 3 nn）位置O原子形成缺陷对时的体系总能，计算结果如表2所示。从表2可见，间隙O与Va之间的形成能均为负值，表明间隙O与Va结合过程中会释放热量，O与Va形成的复合缺陷是稳定的，因此O在Zr中易与Va结合。从表2还可以看出，当O处于Va的第三近邻时，其结构在三者中最稳定，说明O和Va虽然相互吸引，但若靠得太近，距离小于第三近邻时，将有轻微的排斥效应。综上所述，Va的存在使O原子在Zr中的稳定性提高。相比纯Zr，hcp-Zr54超胞中oct、tet和sub 3种位置加入O原子后，轴比分别增加了1.3%、1.4%和1.2%。