《表3 样品的孔结构：硼改性HZSM-5对催化MTP反应活性影响》

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《硼改性HZSM-5对催化MTP反应活性影响》

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表4为不同落位Al的相对含量。其中，Al（c）归属为分布在晶体孔道交叉口的Al，Al（d）为直孔道和/或正弦孔道中的FAl[8]。水热处理后BHZ-5-100和HZ-5-100的Al （e）均增加，Al （a）均减少；BHZ-5-100的Al（d）略增加，Al（c）减少。水热处理后BHZ-5-200和HZ-5-200，的Al落位变化趋势一致，Al（c）和Al（a）均降低，Al（b）增加，但是变化程度不一；BHZ-5-200的Al（c）由31%下降到24%，HZ-5-200的Al （c）由29%下降到25%。BHZ-5的Al（d）/Al （c）比值随水热处理空速增加而增加，BHZ-5-100从1增加到1.37，BHZ-5-200从0.93增加到1.23；HZ-5-200的Al（d）/Al（c）变化不显著，HZ-5-100的Al（d）/Al（c）由1.26降低到1.08。表明BHZSM-5晶体的直孔道和/或正弦孔道的FAl更加稳定，水热环境下不易脱除，交叉口处会优先脱Al。这种Al落位变化有利于M TP反应过程中抑制芳烃循环。