《表2 不同扫速下各种中空碳纳米球的比电容/F·g-1》

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《硼氮双掺杂中空碳纳米球的制备及其在超级电容器中的应用研究》

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结合各样品的CV曲线图和上述公式，计算出不同扫速下对应的电容值如表2所示。由表2可知，随着扫速的增加，NHCNS的比电容从5m V·s-1时的158 F·g-1，降到100 m V·s-1时的102 F·g-1，NHCNS-SPS的比电容从174 F·g-1降到129 F·g-1，NHCNS-SPS-B的比电容从195 F·g-1降到149 F·g-1。相较而言，经过放电等离子烧结的材料，其比电容有所增大，即使在较大扫速下，NHCNS-SPS-B的电容保留率（77%）也大于NHCNS（64.5%），这可能是因为在高温下硼碳化学键的形成使碳球之间连接形成网络结构，有利于电子的运输，下面的充放电测试结果也反映了这一点。