《表1 集电极-发射极电压对应结温的值Tab.1 The value of Tjat different Vce》

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《基于ANSYS及MATLAB的温度场分布对半桥型IGBT器件的影响》

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使用如图1所示的电路进行IGBT模块的导通连接，给器件一个15V的门极触发电压Vge，将器件的集电极-发射级通上测试电压Vce，采用小样电流进行结温测试，测试电流为分别为50、100和200mA。经过测试三组实验，并且每个电流点测试三次保证数据的精确性，可以得到表1中不同电压下的结温温度。根据表格结果可以得到集电极-发射极电压与结温的关系（图4），根据线性关系得到不同情况下的结温值，从而计算得出热阻值。热阻是表征热流流经导热体时所受到的阻力的物理量，热阻的大小反映器件散热性能的好坏，对于研究器件热可靠性是一个非常重要的概念。