《表1 对流散热系数：基于自相关性和模版匹配的TFT缺陷电路重构算法》

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《基于自相关性和模版匹配的TFT缺陷电路重构算法》

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其中：NP为算法定位区域，ND为真实电路区域。IOU表示算法定位结果与真实电路的重叠度，它的值越大表示此图的定位效果越好。I OUm表示平均每张图I OU值的大小，NIOU>0.95表示在测试集中I OU的值大于0.95的图片数量，NA为测试集的图片总数，Acc表示在用阈值I OU>0.95时的定位准确率。表1为现有算法与本文算法的对比试验结果。