《表2 变量赋值说明：瞬时剂量率效应激光模拟测试技术》

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《瞬时剂量率效应激光模拟测试技术》

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SOI工艺是在顶层硅与背衬底之间引入埋氧化层，达到全介质隔离效果的工艺。SOI工艺消除了体硅互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）电路中的闩锁效应，具备寄生电容更小、功耗更低的优点，同时有较强的抗辐射能力，是集成电路与器件抗辐射加固设计的重要技术[4，7]。研究SOI工艺的剂量率效应，探索其在瞬态高能辐射下的失效机理对SOI器件的抗辐射加固设计有重要意义。本文利用1 064 nm激光对不同工艺（SOI/体硅）、不同特征尺寸（0.13/0.35μm）、不同器件结构（N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS）/n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS）)下剂量率效应差异性开展研究。由于半导体器件的瞬时辐照响应为瞬时光电流[13–15]，特研制4款专用器件进行剂量率效应光电流测试。器件栅、源和体连接为1个电极，漏极独立为1个电极，同时为避免金属层对激光的反射，器件区域完全裸露。器件版图如图3所示，具体器件信息见表2。