《表2 各参数弛豫度随In组分变化情况Table 2Variation of the relaxation degree of each parameter with indium component

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《不同In组分对In_xGa_(1-x)As物理性质影响的研究》

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式（2）中，Oa和Ob表示结构优化前后相应的参数，R为正值表示弛豫后参数变大，为负值表示变小，为0表示不变，none表示没有值，表2中Inproportion、R（GaAs_bond）、R（InAs_bond）、R（Ga—Ga angle）、R（Ga-In angle）、R（In—In angle）分别表示In组分、Ga—As键的弛豫度、In—As键弛豫度、Ga—As—Ga键角弛豫度、Ga—As—In键角弛豫度、In—As—In键角弛豫度。