《表3 不同磷源环境下As(Ⅴ)对斜生栅藻各生长指标(OD、Chl a和Yield)的96 h半数效应浓度(96 h-EC50)》

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《不同磷源对砷胁迫下2种绿藻生长的影响》

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注:不同字母表示同一指标间差异显著，P<0.01。

由OD、Chl a和Yield这3个指标的方差分析得出在3种不同磷源环境下As（Ⅴ）对斜生栅藻的最低可观测效应浓度（LOEC）和无可观测效应浓度（NOEC）一致，分别为105μg·L-1和5×105μg·L-1，说明3种磷源环境下斜生栅藻对As（Ⅴ）的耐受性很高，且受磷形态影响不大。不同磷源环境下由OD、Chl a和Yield拟合得到的As（Ⅴ）对斜生栅藻96 h-EC50及其相关系数（r2）如表3所示。除β-P环境下由OD指标得出的As（Ⅴ）的96 h-EC50相对较高外（高出约3个数量级），不同磷源环境下的其余各指标得出的96 h-EC50均无显著差异，这说明β-P环境下斜生栅藻细胞密度受As（Ⅴ）的胁迫不敏感，但OD指标在DIP和ATP-P环境下却表现出比Chl a和Yield更高的敏感性，同时也进一步表明不同磷源环境会影响As（Ⅴ）对斜生栅藻细胞增殖的胁迫效应。不同的是，Chl a和Yield更能相对稳定地反映在不同磷源环境下As（Ⅴ）对该藻的胁迫效应。