《表4 绝缘结构绝缘电阻及击穿电压与试验周期数的关系》

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绝缘结构浸水3 h绝缘电阻及击穿电压与试验周期数的关系如表4所示。从表4可以看出，随着试验周期数的增加，绝缘结构的浸水绝缘电阻呈下降趋势，但试验4周期后仍保持在78.0 GΩ。相对于初始击穿电压，低温冲击振动试验后，绝缘结构的击穿电压下降了约11%，说明绝缘结构存在轻微劣化现象，但仍处于较高水平，且满足技术指标要求。