《表2 40℃时材料的热刺激电流相关参数》

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《氮化硼纳米片改性环氧树脂导热与介电性能的研究》

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EP和EP–BN的TSC曲线如图10所示。曲线中只观测到1个明显的电流峰值，对该峰进行分析得到相关的陷阱参数如表2所示。可以看出，所有材料的热刺激电流均在皮安级别。随着纳米材料的加入，EP–BN热刺激电流峰值逐渐变大，电流峰变宽且电流峰值所对应的温度也有所上升。EP的陷阱深度较大，为3.285 e V，较难产生极化电荷，因此相对介电常数和介电损耗均较小。随着BNNS的加入，EP–BN的陷阱深度逐渐减小，即产生等量极化电荷所需能量越来越少，这也验证了复合材料的相对介电常数和介电损耗逐渐增大的趋势。随着BNNS含量的增加，EP–BN的陷阱电荷量也逐渐变多，这也是陷阱深度下降导致的。