《表1 IGBT串联均压方法对比》
图13给出了不同IGBT串联均压方法的电压不均衡度和电压等级对比情况。IGBT串联的电压不均衡度是每个串联器件电压和平均电压的差值ΔVn与平均电压Vn的比值[2],电压不均衡度越高,由于电压不均对应用系统产生的危害越大,不同应用场景对均压后电压不均衡度的要求也不同。具体各种IGBT串联均压方法对比见表1。
图表编号 | XD00193129400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.30 |
作者 | 张雪珺、黄萌、刘佳鸿、梁琳、查晓明 |
绘制单位 | 武汉大学电气与自动化学院、武汉大学电气与自动化学院、武汉大学电气与自动化学院、华中科技大学电气与电子工程学院、武汉大学电气与自动化学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |