《表2 动电位极化曲线的拟合结果》

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《高低电压下不同厚度微弧氧化膜抗蚀电化学响应对比研究》

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图7为基体和不同厚度微弧氧化膜层的动电位极化曲线，表2为相应的拟合结果。相比基体，厚膜和薄膜的腐蚀电位Ecorr均明显正移，腐蚀电流密度Jcorr均减小，极化电阻Rp均增大，这表明微弧氧化处理可显著提高AZ91D镁合金基体的抗蚀性能。与薄膜相比，厚膜Ecorr正移了100 m V。通常，膜层的Ecorr反映了膜层腐蚀的热力学倾向，与膜层的化学组成有关。在实验过程中，制备厚膜时电压越高，提供的能量就越高，这有利于Mg2Si O4物相的生成（见表1和图5）。Mg2Si O4的化学稳定性及抗蚀性较佳，因此含较多Mg2Si O4的厚膜的腐蚀倾向明显降低，呈现了优异的抗蚀性能。同时，厚膜的Jcorr减小了近1个数量级，Rp增大了约3.7倍，说明膜层较高的厚度阻碍了腐蚀介质与基体的直接接触，增大了腐蚀介质与腐蚀产物扩散和转移的难度，对镁合金基体提供了良好的物理屏障，进而拥有更优异的抗蚀性。