《表3 器件参数的波动参考范围》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

以上我们模拟仿真了InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列中结构参数的不均匀性对器件性能的影响，我们把击穿电压的变化控制在-1~1V，暗计数率和光探测效率的波动都控制在10%以内，得到不同温度下各个参数的波动参考范围，如表3所示。倍增层厚度、电荷层掺杂浓度和厚度的允许波动范围最小；随着温度的降低（220和200K），各个参数的允许波动范围将会进一步缩小。