《表4 9×1和3×3分布阵列温度分布的比较》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《PTC封装结构热管理模拟研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

使用COMSOL Multiphysics中域探针功能获得2种分布阵列下Ba Ti O3陶瓷的平均温度，并根据表面温度和陶瓷温度分布对2种分布阵列进行比较（表4）。可以看出，Ba Ti O3陶瓷3×3分布阵列比9×1分布阵列的表面温度和陶瓷温度均有所下降，说明3×3分布阵列能在一定程度上提高封装结构散热能力。虽然陶瓷平均温度仅下降了2.1℃，但Ba Ti O3陶瓷电阻在此温度区间随温度升高呈指数增大趋势，故功率可以提高10%左右。