《表2 不同电压正负电荷峰值及其位置》

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《铝屏蔽间隙对聚醚醚酮高能电子辐射下介质深层充电特性的影响》

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图10为辐射30 min时0 mm铝屏蔽间隙模型PEEK上空间电荷分布与电极电压的关系。为使PEEK内电荷密度趋势更清晰，在图10中忽略电极附近的电荷密度，即PEEK与电极共用节点的电荷密度值。由式（6）可知，正电极电压会轻微增加入射电子的能量，负电极电压则减小入射电子能量，±500 V对电子能量的影响为0.5 ke V。从图10可知，500 V电压在辐射30 min后相对于0 V电压模型，正电荷峰减小并变窄，负电荷峰增大并变宽，均比0 V电压模型更靠近铝屏蔽。–500 V电压在辐射30 min后相对于0 V电压模型，正电荷峰增大并变宽，且更靠近电极；负电荷峰值及其位置基本无变化。不同电压下正负电荷峰值及其位置详见表2。