《表2 不同电化学系统的q*T、q*O、q*I和电化学孔隙率表》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《介孔掺锑二氧化锡粒子电极的制备及表征》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

EIS是一种可以用来解释电化学系统物理模型的电化学表征方法。不同电化学系统的Nyquist图如图7a、b所示。二维电化学系统的Nyquist图在低频范围内（图7a）是由电解质离子在恒定温度和静态条件下向电极表面的半无限扩散引起的Warburg阻抗所主导的[25]。在加入粒子电极后，Warburg阻抗被一个半圆代替，表明半无限扩散层的消失。这是由于多孔的粒子电极强制扩大了系统的电化学活性表面积，使得电解质离子能够更好地扩散到电极表面。不同电化学系统在高频区域内的EIS谱图显示在图7b中。高频区的半圆代表了固体电极与电解质溶液接触界面平行双电层电容内的电荷迁移电阻[25]。通过半圆半径拟合得到具有7%TEOS改性Sb-Sn O2干凝胶粒子电极的三维电化学系统的电荷迁移电阻为6.40Ω，远小于传统二维电化学系统（46.2Ω）和具有未改性干凝胶粒子电极的三维电化学系统的电荷转移电阻（11.12Ω）。