《表4 C、D组数据统计:功率和埚转对直拉单晶硅漏硅事故率的影响及分析》
从A组数据看出,化料过程埚位若一直固定于零埚位,坩埚内固态硅料在融化一定量是直接发生坍塌,发生溅硅的几率为11.4%,由于溅硅易对硅料纯度造成影响,且损害石墨件,其生产良率为70.2%,平均化料时间为8.3h;B组数据,化料过程随着高温区域的固态硅逐步融化为液态,埚位逐步随之上升,始终保持熔硅部分保持在高温区,使融化速率保持恒定而均匀,化料时长明显缩短,平均7.6h,溅硅率3.3%,生产良率72.3%;C、D不同埚转实验条件的具体数据如表4。
图表编号 | XD00169577500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.01 |
作者 | 罗晓斌、张波、周燕青、杨旭彪、辛玉龙、董皓 |
绘制单位 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司、山西潞安太阳能科技有限责任公司、山西潞安太阳能科技有限责任公司、山西潞安太阳能科技有限责任公司、山西潞安太阳能科技有限责任公司、山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
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