《表1 不同槽电压下电解产物》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《CaCl_2-NaCl熔盐中槽电压对SiO_2电还原影响机制研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在2θ=24°附近出现了一个扁平状的特征峰，根据文献报道，此位置的峰代表了单质Si的氧化程度，这主要是由于单质Si尤其是在纳米级别时反应活性高，在冷却及清洗过程中容易被轻微氧化[13]。继续增大槽电压至1.9V时，图1c中检测到的峰仍全部为单质Si的特征峰，Si含量高达92.42%、O含量为7.58%。在槽电压为2.0V时，产物为单质Si。Si含量高达94.6%、O含量为5.4%。相关检测结果统计汇总在表1中。