《表1 工艺短流程试验结果》

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《基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究》

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基于N型SOI材料，注入和工艺短流程被用来测试结深，试验结果显示类型和结深类似的阱有可能实现共用。N well阱与N buffer阱特性类似，P body阱与P buffer阱特性类似，试验结果如表1所示。