《表1 可变增益放大单元中晶体管的栅宽和栅长值》

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《基于55 nm CMOS工艺的可变增益放大器》

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传统的Cherry-Hooper型放大器如图1(a）所示，这种结构有两点不足之处：首先，为使所有晶体管在饱和区域工作，大偏置电压会造成高功耗；其次，RD限制了放大器的最小增益，也就限制了放大器的可调谐范围.因此，本文对传统的Cherry-Hooper放大器进行了改进，使其在不增加功耗的情况下，具有更宽的增益调谐范围，如图1(b）所示.其中可用工作在三极管区的PMOS管M5、M6来代替反馈电阻Rf，Cf为M5、M6的等效寄生电容.利用施加在M5、M6栅极上电压VC的变化来实现可调电阻的功能[13].所有CMOS晶体管都采用低阈值电压模型来缓解功耗问题.外接控制电压的PMOS晶体管M7、M8分别与R3、R4并联，以降低最小增益，从而增加整体增益调谐范围.此外，NMOS管M1、M2分别由偏置电阻R1、R2提供直流电流.最终优化得到的各晶体管的参数如表1所示.