《表2 界面缺陷的参数设置和吸收体中的缺陷》
材料参数选自实验数据和其他理论结果,各层的初始模拟参数列于表1[1,12]。电子和空穴的热运动速度为107cm/s,钙钛矿吸收层中的缺陷设定为中性高斯分布,特征能量为0.1e V,缺陷能级位于带隙中心。模拟的缺陷参数如表2所示。为了获得吸收系数(α)曲线,通过α=Aα(hνEg)1/2计算,其中Aα等于105。
图表编号 | XD00160324700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.01 |
作者 | 周理想 |
绘制单位 | 浙江师范大学固体光电器件省级重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |