《表1 实验条件对比表：PSS/Si有机-无机杂化存储器的界面开关效应》

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《PSS/Si有机-无机杂化存储器的界面开关效应》

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如图1（a）所示，该存储器件为金属-绝缘体有机物-半导体结构，与MOS结构相似，用绝缘体有机物替代其中的氧化物。右侧为聚苯乙烯磺酸盐（PSS）分子式。PSS是一种水溶性聚合物材料[10]，与聚乙烯二氧噻吩（PEDOT）混合为一种溶胶试剂，可凝胶形成透明导电膜，常作为缓冲层在有机光伏器件中使用[9-11]。如图1（b）、图1（c）所示，样品G2（具体参数条件见表1）的电容-电压关系（C-V）曲线和电导-电压关系（G-V）曲线均表现为滞回曲线。曲线形状与磁滞回线[12]和电滞回线[13]相似。C-V滞回曲线在电荷捕获存储器中（charge-trapping memory）比较常见[14]，而此处得到的G-V曲线也出现滞回现象。一般情况下，表面缺陷是个定值，G-V曲线电压正反扫描曲线是重合的，而文献[6-7]提到，硅片的表面缺陷会随电压发生变化，正向扫描和反向扫描时，表面缺陷不同，载流子在输运过程中会受到表面缺陷的影响，因此G-V曲线表现为滞回曲线。在图1（b）、图1（c）中，两条曲线中间所围的区域为记忆窗口，两条平行线之间的电压变化量定义为记忆窗口宽度，反映PSS/Si界面处电化学反应过程中的电荷转移量。记忆窗口越宽，代表逻辑“0”和“1”的两种状态差别越大，器件存储效果越好。