《表1：化合物半导体在5G基站中的应用场景》

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《5G通信基站用化合物半导体射频器件应用场景及发展》

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GaN材料具备高的禁带宽度，良好的热导率，适合进行高压、大功率器件的研制，在5G基站用功率放大器方向由其是中频段大功率领域将具备无可替代的地位[7-8]。SiC上GaN衬底成本较高，制程为4～6英寸。此外，Si上GaN是在Si衬底上进行GaN外延，既保留了GaN的优良功率特性，又能将衬底增至Si基水平，成本有优势但热导率有所下降，影响其适用范围。在高频段，将功放、开关、低噪放一体集成，形成GaN多功能前端芯片，是目前随应用牵引出现的新研究方向[9]。化合物半导体在5G基站中的应用场景如表1所示。