《表1 SCH2080KE与IPW60R075CP参数对比》
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《采用SiC MOSFET与Si MOSFET的双有源桥效率仿真分析对比》
本文选取处于同一功率等级的Rohm第二代SiC MOSFET SCH2080KE与Infenion生产的IPW60R075CP,选取Level 3 MOSFET模型进行仿真分析。二者参数见表1[4-5]。
图表编号 | XD00151009200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.07.30 |
作者 | 刘昌赫、王学远 |
绘制单位 | 同济大学新能源汽车工程中心、同济大学新能源汽车工程中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |