《表1 常见的Si C多型体》

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《碳化硅半导体材料应用及发展前景》

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Si C的结晶结构是一种典型的共价键结合的化合物，自然界几乎不存在。Si C具有α和β两种晶型。β-Si C的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α-Si C存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。α-Si C是高温稳定型，β-Si C是低温稳定型。β-Si C在2 100~2 400℃可转变为α-Si C，β-Si C可在1 450℃左右温度下由简单的硅和碳混合物制得。在温度低于1 600℃时，Si C以β-Si C形式存在。当高于1 600℃时，β-Si C缓慢转变成α-Si C的各种多型体。4H-Si C在2 000℃左右容易生成；15R和6H多型体均需在2 100℃以上的高温才易生成；对于6H-Si C，即使温度超过2 200℃，也是非常稳定的。常见的Si C多形体列于表1。