《表6 LT-DSL的吞吐量分析106/s》
在上述实验环境中,测试升序和乱序两种流量下基于LT-DSL、经典跳表和局部性原理跳表的内容存储池方案的吞吐量.由存储开销实验可知:对于名称数量为1×106的名称数据,以上三种方案的片上存储开销均小于SRAM的最大存储容量128.746 MB[20].因此,可将以上三种方案的片上结构部署于SRAM上,片下结构部署于动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)上,测试其实际吞吐量.针对名称数量为1×106的名称数据,以上三种方案在上述实验环境中的吞吐量如表6所示.
图表编号 | XD00149243200 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.09.23 |
作者 | 刘开华、周美丽、李卓 |
绘制单位 | 天津大学微电子学院、天津大学微电子学院、天津大学微电子学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |