《表2 推算实际工作环境耦合电流》
在相同频率点,发火单元耦合电流与场强大小呈线性关系。可通过半导体温度变化特性,电阻与温度变化呈线性关系推算同频率点高场强耦合电流大小,将实际工作环境中2~3GHz频率段,330~4 000V/m场强带入计算公式,结果如表2所示。
图表编号 | XD00148382200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.01 |
作者 | 李欣、周智、李鹏飞、刘红娥、杨琨 |
绘制单位 | 陕西应用物理化学研究所、陕西应用物理化学研究所、陕西应用物理化学研究所、陕西应用物理化学研究所、陕西应用物理化学研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |