《表2 CS/PF电流：CFETR水冷包层电磁结构耦合分析》

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《CFETR水冷包层电磁结构耦合分析》

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在进行瞬态电磁分析时，需要考虑等离子体位形。本文分析的位形是类ITER位形，这种情况下DC线圈中不需要加载电流。CS线圈以及PF线圈中加载的电流值列于表2中。TF线圈中加载的电流值为168×87.6k A。等离子体区域中加载的电流初始值为14MA，采用的电流衰减形式为线性36ms衰减[8]，计算总时间为400ms。等离子电流线性衰减为Ip=Ip0（1-t/τ），其中，Ip为t时刻等离子体电流，Ip0为14MA；τ为36ms。等离子体区域中的电流随时间的衰减曲线如图2所示。