《表3 功率晶体管控制功能》

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前级驱动单元包括3个相同的三态输出电路，分别驱动3相的功率晶体管，图5为A相功率晶体管的前级驱动电路。AH和AL接单片机的GPIO，分别用于控制A相上臂和下臂功率晶体管的导通或截止。当AH为高电平时，Q17、Q15、D2导通，从而Q1和Q2导通；当AH为低电平时，Q17、Q15截止，Q16导通，从而Q1和Q2截止。当AL为低电平时，Q21、Q20导通，从而Q7、Q8导通；当AL为高电平时，Q21、Q20截止，Q22导通，从而Q7、Q8截止。CS48N88为N沟道MOS管，其栅极电压高于源级电压10 V以上的情况下，才能完全导通。C2为自举电容，通过D1接到+15 V DC电源，当所有MOS管关闭的情况下，C2通过D1和R8充电到13 V。当Q1、Q2导通，其源级电压为48 V DC，此时C2充满电，电压仍为13 V，可以维持Q15导通并使Q1、Q2的栅极电压在61 V DC，Q1、Q2完全导通。RT为康铜丝电阻，作用是采样实时工作电流，当电流超过17 A时，强制对电机限速。功率晶体管状态控制逻辑如表3所示。